sifat produk
JENIS
HURAIKAN
kategori
Produk Semikonduktor Diskret
Transistor – FET, MOSFET – Tunggal
pengilang
Teknologi Infineon
siri
CoolGaN™
Pakej
Pita dan Kekili (TR)
Jalur Ricih (CT)
Kekili Tersuai Digi-Reel®
Status Produk
dihentikan
jenis FET
N saluran
teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltan Punca Parit (Vdss)
600V
Arus pada 25°C – Longkang Berterusan (Id)
31A (Tc)
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
-
Pada rintangan (maks) pada Id berbeza, Vg
-
Vgs(th) (maksimum) pada Id yang berbeza
1.6V @ 2.6mA
Vgs (maks)
-10V
Kemuatan input (Ciss) pada Vd yang berbeza (maks)
380pF @ 400V
Fungsi FET
-
Pelesapan kuasa (maks)
125W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
jenis pemasangan
Jenis Lekapan Permukaan
Pembungkusan Peranti Pembekal
PG-DSO-20-87
Pakej/Kepungan
20-PowerSOIC (0.433″, 11.00mm lebar)
Nombor produk asas
IGOT60
Media dan Muat Turun
JENIS SUMBER
PAUTAN
Spesifikasi
IGOT60R070D1
Panduan Pemilihan GaN
CoolGaN™ 600 V e-mod GaN HEMTs Ringkas
Dokumen lain yang berkaitan
GaN dalam Penyesuai/Pengecas
GaN dalam Pelayan dan Telekom
Kebolehpercayaan dan Kelayakan CoolGaN
Mengapa CoolGaN
GaN dalam Pengecasan Tanpa Wayar
fail video
CoolGaN™ 600V e-mod HEMT platform penilaian separuh jambatan yang menampilkan GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – paradigma kuasa baharu
Papan penilaian PFC tiang totem jambatan penuh 2500 W menggunakan CoolGaN™ 600 V
Spesifikasi HTML
CoolGaN™ 600 V e-mod GaN HEMTs Ringkas
IGOT60R070D1
Klasifikasi Alam Sekitar dan Eksport
SIFAT-SIFAT
HURAIKAN
status RoHS
Mematuhi spesifikasi ROHS3
Tahap Kepekaan Kelembapan (MSL)
3 (168 jam)
Status REACH
Produk bukan REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
